MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.017 Ω Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

1324,00 €

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Codice RS:
165-6372
Codice costruttore:
SQD45P03-12_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.017Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

71W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55.3nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TW

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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