MOSFET Vishay, canale N, 110 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

28 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

110 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-10 V, +10 V

Lunghezza

10.67mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

64 nC a 5 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C