MOSFET Vishay, canale N, 110 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7153
Codice costruttore:: SIHL540STRL-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 110 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 165-7153
Codice costruttore:: SIHL540STRL-GE3
Costruttore:: Vishay

IRL540S, SiHL540S, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	64 nC a 5 V
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 110 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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