MOSFET onsemi, canale N, 8,6 mΩ, 13,9 mΩ, 22 A, 30 A, PQFN8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 166-3512
- Codice costruttore:
- FDMS7608S
- Costruttore:
- onsemi
Non disponibile
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- Codice RS:
- 166-3512
- Codice costruttore:
- FDMS7608S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 22 A, 30 A | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | PQFN8 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 8,6 mΩ, 13,9 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate minima | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 2,2 W, 2,5 W | |
| Configurazione transistor | Serie | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 18 nC a 10 V, 21 nC a 10 V | |
| Larghezza | 6mm | |
| Numero di elementi per chip | 2 | |
| Altezza | 0.725mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 22 A, 30 A | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package PQFN8 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 8,6 mΩ, 13,9 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate minima 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima 2,2 W, 2,5 W | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 5mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 18 nC a 10 V, 21 nC a 10 V | ||
Larghezza 6mm | ||
Numero di elementi per chip 2 | ||
Altezza 0.725mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
- Paese di origine:
- DE
MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.
Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.
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Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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