MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-4728
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,937 €

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1,143 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,937 €	2.811,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 864-4728
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

FDMS86300, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 80A, 3.9mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	5,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6mm
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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