MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 122 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9633
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 122 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 2**

1,555 €

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Unità	Per unità	Per confezione**
2 - 18	1,555 €	3,11 €
20 - 198	1,34 €	2,68 €
200 - 998	1,16 €	2,32 €
1000 - 1998	1,02 €	2,04 €
2000 +	0,93 €	1,86 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 759-9633
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

FDMS86300, PowerTrench 80V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	122 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	5,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 5,8 mΩ, 122 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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