Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 122 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS86300

Codice RS:: 759-9633
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 122 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS86300

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200 - 998	1,715 €	3,43 €
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Codice RS:: 759-9633
Codice costruttore:: FDMS86300
Costruttore:: onsemi

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	122A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	WDFN
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	104W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	72nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	6mm
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.05mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 122A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package WDFN
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 104W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 6mm
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.05mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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