MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-7790
Codice costruttore:: TPH8R80ANH
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

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Codice RS:: 168-7790
Codice costruttore:: TPH8R80ANH
Costruttore:: Toshiba

TPH8R80ANH, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	59 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOP Advanced
Serie	TPH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	61 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	33 nC a 10 V
Altezza	0.95mm

MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

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