MOSFET Toshiba, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
796-5156
Codice costruttore:
TPH8R80ANH
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

59 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

SOP Advanced

Serie

TPH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

8,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

61 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5mm

Carica gate tipica @ Vgs

33 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

5mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

0.95mm


Transistor MOSFET, Toshiba

Link consigliati