MOSFET Toshiba, canale N, 200 mΩ, 17 A, TO-220SIS, Su foro

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

TO-220SIS

Serie

TK

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

200 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Dissipazione di potenza massima

45 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10mm

Larghezza

4.5mm

Carica gate tipica @ Vgs

45 nC a 10 V

Altezza

15mm