1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 130 A 75 V, JEDEC TO-220AB, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IRF1407PBF
- Codice RS:
- 170-2243
- Codice costruttore:
- IRF1407PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 170-2243
- Codice costruttore:
- IRF1407PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 130A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF1407PbF | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 130A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF1407PbF | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 16.51mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Questa struttura Stripe Planar dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecnologie di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo MOSFET di potenza HEXFET sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Questi vantaggi si riuniscono per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni.
Vantaggi:
Bassa resistenza RDS(on)
Valori nominali dinamici dv/dt
Commutazione rapida
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Applicazioni target:
Full-bridge di consumo
Full-Bridge
Push-pull
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