1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, 130 A 75 V, JEDEC TO-220AB, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IRF1407PBF

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
170-2243
Codice costruttore:
IRF1407PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF1407PbF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

16.51mm

Lunghezza

10.67mm

Numero elementi per chip

1

Questa struttura Stripe Planar dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecnologie di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all’accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo MOSFET di potenza HEXFET sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Questi vantaggi si riuniscono per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni.

Vantaggi:

Bassa resistenza RDS(on)

Valori nominali dinamici dv/dt

Commutazione rapida

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Applicazioni target:

Full-bridge di consumo

Full-Bridge

Push-pull

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.