MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ097N10NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
170-2342
Codice costruttore:
BSZ097N10NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSZ097N10NS5

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

OptiMOS™ 5 100 V, l’ultima generazione di MOSFET di potenza di Infineon, è progettata appositamente per la rettifica sincrona nelle alimentazioni di telecomunicazioni e server. Inoltre, questi dispositivi possono anche essere utilizzati in altre applicazioni industriali, come impianti ad energia solare, unità a bassa tensione e adattatori. Con sette contenitori diversi, i nuovi MOSFET da 100 V OptiMOS™ 5 offrono la R DS(on) più bassa del settore

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Riduzione R DS(on) fino al 44%

Vantaggi:

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

Applicazioni target:

Telecomunicazioni

Server

Solare

Unità a bassa tensione

Veicoli elettrici

Adattatore

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