MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V Miglioramento, 235 A, 8 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 170-3399
- Codice costruttore:
- NTMFS5C430NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
873,00 €
(IVA esclusa)
1065,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1500 unità in spedizione dal 06 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,582 € | 873,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-3399
- Codice costruttore:
- NTMFS5C430NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 235A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NTMFS5C430N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 128W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 235A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NTMFS5C430N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 128W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Altezza 1.05mm | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET onsemi 1 185 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 250 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 287 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 192 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 258 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 258 A. Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 1 276 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 350 mΩ7 A Montaggio superficiale
