MOSFET onsemi, canale N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 235 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMFS5C430NT1G

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

798,00 €

(IVA esclusa)

973,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • 1500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1500 +0,532 €798,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-3399
Codice costruttore:
NTMFS5C430NT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

235A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMFS5C430N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, RoHS

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.