MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 185 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-3399
Codice costruttore:: NTMFS5C430NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 185 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 170-3399
Codice costruttore:: NTMFS5C430NT1G
Costruttore:: onsemi

NTMFS5C426N, Power MOSFET N-Channel 40V, 1.3mOhm, 235A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	185 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	NTMFS5C430N
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4 + Tab
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	106 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.1mm
Lunghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	47 nC a 10 V
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 185 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor

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