MOSFET Vishay, canale N, 5 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
170-8322
Codice costruttore:
SI1032X-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

200 mA

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SC-75

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

5 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

300 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-6 V, +6 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

750 nC a 4,5 V

Lunghezza

1.7mm

Materiale del transistor

Si

Larghezza

0.95mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

0.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Link consigliati