- Codice RS:
- 170-8381
- Codice costruttore:
- SIHP18N50C-E3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
2,053 €
(IVA esclusa)
2,505 €
(IVA inclusa)
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Unità | Per unità | Per stecca* |
---|---|---|
50 - 50 | 2,053 € | 102,65 € |
100 - 200 | 1,93 € | 96,50 € |
250 + | 1,745 € | 87,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-8381
- Codice costruttore:
- SIHP18N50C-E3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- MX
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 17 A |
Tensione massima drain source | 500 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 290 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 220 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Materiale del transistor | Si |
Carica gate tipica @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
Lunghezza | 10.51mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Larghezza | 4.65mm |
Altezza | 15.49mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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