MOSFET Vishay, canale N, 290 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	290 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	220 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC @ 10 V
Lunghezza	10.51mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.65mm
Altezza	15.49mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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