Transistor MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
708-5162
Codice costruttore:
SUP75N06-08-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

75 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

3700 mW

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

85 nC a 10 V

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.41mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

9.01mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor