Transistor MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 708-5162
- Codice costruttore:
- SUP75N06-08-E3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 708-5162
- Codice costruttore:
- SUP75N06-08-E3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 75 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 8 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Dissipazione di potenza massima | 3700 mW |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Larghezza | 4.7mm |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 85 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 9.01mm |
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