MOSFET onsemi, canale Tipo N 75 V, 11 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante FDP75N08A

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Transistor MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 75 A, TO-220AB, Su foro
Codice RS
708-5162

1pz in confezione da 5

2,344 €

(IVA esclusa)

2,86 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
671-4862
Codice costruttore:
FDP75N08A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Serie

UniFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

137W

Tensione diretta Vf

1.4V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.4mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor


Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i MOSFET planari e fornisce inoltre eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore resistenza all'energia dell'effetto valanga. Inoltre, il diodo ESD gate-sorgente interno consente al MOSFET UniFET-II™ di sopportare sollecitazioni da sovratensioni HBM di oltre 2000 V.

I MOSFET UniFET™ sono adatti per le applicazioni con convertitori di potenza switching, come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione TV di display a schermo piatto (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) e resistenze elettroniche per lampade.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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