Transistor MOSFET Vishay, canale N, P, 35 mΩ, 51 mΩ, 5.4 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Codice RS:: 699-7345
Codice costruttore:: SI7501DN-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Transistor MOSFET Vishay, canale N, P, 35 mΩ, 51 mΩ, 5.4 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,482 €

(IVA esclusa)

0,588 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
5 - 20	0,482 €	2,41 €
25 - 45	0,474 €	2,37 €
50 - 95	0,464 €	2,32 €
100 - 245	0,454 €	2,27 €
250 +	0,444 €	2,22 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 699-7345
Codice costruttore:: SI7501DN-T1-E3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Si7501DN Complementary 30-V (D-S) MOSFET Data Sheet

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET doppio a canale N/P, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	5.4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK 1212
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	35 mΩ, 51 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1600 mW
Tensione massima gate source	-25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	12,5 nC a 10 V, 9 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.05mm
Lunghezza	3.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.04mm