Transistor MOSFET Vishay, canale N, P, 35 mΩ, 51 mΩ, 5.4 A, PowerPAK 1212, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

5.4 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

35 mΩ, 51 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1600 mW

Tensione massima gate source

-25 V, -20 V, +20 V, +25 V

Larghezza

3.05mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Carica gate tipica @ Vgs

12,5 nC a 10 V, 9 nC a 10 V

Lunghezza

3.05mm

Altezza

1.04mm

Minima temperatura operativa

-55 °C