- Codice RS:
- 165-2816
- Codice costruttore:
- SUP57N20-33-E3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
2,842 €
(IVA esclusa)
3,467 €
(IVA inclusa)
300 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Unità | Per unità | Per stecca* |
---|---|---|
50 - 50 | 2,842 € | 142,10 € |
100 - 200 | 2,671 € | 133,55 € |
250 + | 2,416 € | 120,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-2816
- Codice costruttore:
- SUP57N20-33-E3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TW
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 57 A |
Tensione massima drain source | 200 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 33 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 3,75 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 90 nC a 10 V |
Lunghezza | 10.41mm |
Materiale del transistor | Si |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Larghezza | 4.7mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.01mm |
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