MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2523
Codice costruttore:: SSM6N7002KFU
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2523
Codice costruttore:: SSM6N7002KFU
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,75 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,39 nC a 4,5 V
Larghezza	1.25mm
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	0.9mm

MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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