MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 171-2523
- Codice costruttore:
- SSM6N7002KFU
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 100
0,06 €
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0,07 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 100 - 400 | 0,06 € | 6,00 € |
| 500 - 900 | 0,052 € | 5,20 € |
| 1000 + | 0,048 € | 4,80 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 171-2523
- Codice costruttore:
- SSM6N7002KFU
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TH
Dettagli prodotto
Commutazione ad alta velocità
Resistenza all'accensione drain-source bassa
RDS(ON) = 1,05 Ω (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (@VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 1,05 Ω (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (@VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (@VGS = 4,5 V)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 300 mA |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | SOT-363 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 6 |
| Resistenza massima drain source | 1,75 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.1V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.1V |
| Dissipazione di potenza massima | 500 mW |
| Tensione massima gate source | ±20 V |
| Numero di elementi per chip | 2 |
| Larghezza | 1.25mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 0,39 nC a 4,5 V |
| Lunghezza | 2mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
| Tensione diretta del diodo | 1.1V |
| Altezza | 0.9mm |
- Codice RS:
- 171-2523
- Codice costruttore:
- SSM6N7002KFU
- Costruttore:
- Toshiba
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