MOSFET onsemi, canale N, SOIC, Montaggio superficiale

Il dispositivo NCP81080 è un IC gate-drive a mosfet doppio ad alte prestazioni (lato alto e lato basso) progettato per pilotare MOSFET fino a 180 V. Il dispositivo NCP81080 integra un IC driver e un diodo di bootstrap e offre una capacità di corrente di 0,5 A source/0,8 A sink. Circuito anti conduzione incrociata integrato per evitare problemi di shoot-through. I driver lato alto e lato basso sono controllati in modo indipendente.

Aziona due MOSFET canale N in lato alto e basso
Diodo di bootstrap integrato per stadio pilota lato alto
Gamma di tensione di alimentazione di bootstrap fino a 180 V
Capacità di corrente di uscita 0,5 A source, 0,8 A sink
Aziona un carico di 1 nF con tempi di salita/discesa tipici di 19 ns/17 ns
Ampia gamma di tensione di alimentazione da 5,5 V a 20 V
Corrispondenza ritardo 2 ns (tipica)
Protezione UVLO (Under-Voltage Lockout) per tensione unità
Temperatura d'esercizio di giunzione da -40 °C a 140 °C