MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 3 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRF820PBF
- Codice RS:
- 178-0851
- Codice costruttore:
- IRF820PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 178-0851
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- IRF820PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF820 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF820 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRF820 Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 500 V, corrente di drenaggio continua 2,5 A - IRF820PBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e amplificazione nell'elettronica industriale. È adatto per applicazioni che richiedono tensioni di drenaggio-sorgente elevate e corrente continua moderata, funziona in un'ampia gamma di temperature e montato in un contenitore standard a foro passante per un assemblaggio semplice della scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 500 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 2,5 A supporta una gestione del carico moderata
• La dissipazione di potenza di 50 W consente prestazioni termiche sostenute
• La resistenza di accensione di 3 Ω riduce le perdite legate alla conduzione
• La carica tipica del gate a 24 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili
• La tolleranza Vgs ±20 V protegge il gate da eventi di sovratensione
• La corrente continua di 2,5 A supporta una gestione del carico moderata
• La dissipazione di potenza di 50 W consente prestazioni termiche sostenute
• La resistenza di accensione di 3 Ω riduce le perdite legate alla conduzione
• La carica tipica del gate a 24 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili
• La tolleranza Vgs ±20 V protegge il gate da eventi di sovratensione
Applicazioni
• Adatto per la commutazione sul lato primario SMPS nelle alimentazioni industriali
• Ideale per gli stadi di amplificazione lineare che richiedono transistor ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti di interfaccia motore-azionamento con correnti moderate
• Può essere utilizzato per piattaforme di prova ad alta tensione e alimentatori da laboratorio
• Adatto per progetti di retrofit a foro passante nei pannelli di controllo
• Ideale per gli stadi di amplificazione lineare che richiedono transistor ad alta tensione
• Utilizzato per circuiti di interfaccia motore-azionamento con correnti moderate
• Può essere utilizzato per piattaforme di prova ad alta tensione e alimentatori da laboratorio
• Adatto per progetti di retrofit a foro passante nei pannelli di controllo
Quale approccio di montaggio richiede questo dispositivo?
È fornito per l'assemblaggio a foro passante in un contenitore TO-220AB, consentendo opzioni di saldatura e dissipazione convenzionali.
Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?
Può funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti difficili e scenari di giunzione rialzata.
In che modo l'azionamento del gate influisce sul comportamento di commutazione?
La carica di gate tipica di 24 nC alla tensione nominale del gate determina la corrente del driver richiesta e i compromessi della velocità di commutazione.
Cosa è necessario considerare per la gestione della dissipazione di potenza?
Con una dissipazione massima di 50 W, il dissipatore termico esterno e l'orientamento del montaggio sono necessari per mantenere temperature di giunzione sicure a carichi più elevati.
Ci sono limiti elettrici specifici da osservare al gate?
La tensione gate-sorgente non deve superare ±20 V per evitare di danneggiare l'ossido gate e compromettere l'integrità del dispositivo.
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