MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 60 V, 600 mΩ Miglioramento, 2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2364EES-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3877
Codice costruttore:
SQ2364EES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN

vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 8V. Ha una resistenza drain-source di 240mohms a una tensione gate-source di 4,5 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3W e una corrente di drain continua di 2A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 1,5 V e 4,5 V. Viene utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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