MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 1 mΩ, 80 A, 1212, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3899
Codice costruttore:
SiSS02DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

25 V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

1212

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

1 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1V

Tensione di soglia gate minima

2.2V

Dissipazione di potenza massima

65,7 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +16 V

Carica gate tipica @ Vgs

55 nC a 10 V

Larghezza

3.15mm

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

3.15mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Altezza

1.07mm

Tensione diretta del diodo

1.1V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Non applicabile

Paese di origine:
CN
CARATTERISTICHE
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente
potenziato
I rapporti Qg, Qgd e Qgd/Qgs ottimizzati riducono
la perdita di potenza relativa alla commutazione
APPLICAZIONI
Rettifica sincrona
Convertitore buck sincrono
C.c./c.c. a elevata densità di potenza
OR-ing
Commutazione dei carichi

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