MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 30 V, 5 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, TO-252, Superficie SQD40031EL_GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

12,24 €

(IVA esclusa)

14,93 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 660 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,224 €12,24 €
100 - 4901,043 €10,43 €
500 - 9900,918 €9,18 €
1000 +0,796 €7,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3950
Codice costruttore:
SQD40031EL_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-252

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

186nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

2.38 mm

Altezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW

vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza di drain-source di 3,2 MHz a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 136W e una corrente di drain continua di 100A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V. Viene utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

Link consigliati