MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 10 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, TO-252, Superficie SQD40061EL_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3960
Codice costruttore:
SQD40061EL_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

185nC

Tensione diretta Vf

-1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.38 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

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