MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 40 V, 10 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*

104,00 €

(IVA esclusa)

127,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1560 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
100 - 4901,04 €
500 - 9900,919 €
1000 +0,797 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3960P
Codice costruttore:
SQD40061EL_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

185nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

2.38 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

Link consigliati