MOSFET onsemi, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

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Codice RS:
178-4240
Codice costruttore:
FCMT180N65S3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

Power88

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

180 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

139 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±30 V

Larghezza

8mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

33 nC a 10 V

Lunghezza

8mm

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.05mm

Paese di origine:
PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 152 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting

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