MOSFET onsemi, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale on Semiconductor PQFN-4 è un nuovo prodotto AGE con una tensione drain-source di 650V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 180mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 17A e una dissipazione di potenza massima di 139W. Il MOSFET ha una tensione di pilotaggio di 10V. Utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per offrire una bassa resistenza all'accensione e prestazioni di carica del gate inferiori. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• 100% sottoposto a test a valanga
• Alta densità di potenza
• maggiore affidabilità del sistema a basse temperature
• senza piombo (Pb)
• bassa rumorosità del gate e perdita di commutazione
• bassa perdita di commutazione
• Vds Peak Inferiore e oscillazione Vgs inferiore
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
Capacità Ottimizzata di •
• Ultra sottile

• Adattatore
• Informatica
• alimentatori industriali
• Luce a LED
• illuminazione/caricabatteria/adattatore
• Telecom/server
• Telecomunicazioni
• alimentatori per telecomunicazioni/server
• UPS/solare

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007