MOSFET Vishay, canale P, 8 O, 190 A, SC-75, Montaggio superficiale

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Codice RS:
180-7261
Codice costruttore:
SI1021R-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

190 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SC-75

Serie

TrenchFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8 O

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET serie Si1021R Vishay Siliconix è dotato di bassa resistenza in stato attivo e di una rapida velocità di commutazione. Viene utilizzato in sistemi alimentati a batteria, circuiti convertitori di alimentazione, relè a stato solido e nei driver.

Facilità di guida degli interruttori
Bassa tensione di offset
Funzionamento a bassa tensione
Circuiti ad alta velocità
Facile azionamento senza buffer
Piccola area della scheda

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