MOSFET Vishay

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Codice RS:
180-7305
Codice costruttore:
SI7113DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 134mohms a una tensione gate-source di 10V. È dotato di una dissipazione di potenza massima di 52W e corrente di drain continua di 13,2A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. È dotato di applicazioni nel morsetto attivo in alimentatori c.c./c.c. intermedi. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• senza alogeni e piombo (Pb)

Contenitore powerpak a bassa resistenza termica • con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

• la tensione di pilotaggio massima e minima è 4,5 V e 10V

La potenza di dissipazione massima è di • 52W

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -50 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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