MOSFET Vishay Singolo, canale N, 0.18 Ω, 21 A 600 V, TO-220 SIHA22N60E-E3
- Codice RS:
- 180-7900
- Codice costruttore:
- SIHA22N60E-E3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7900
- Codice costruttore:
- SIHA22N60E-E3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.18Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 86nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 35W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 13.8mm | |
| Larghezza | 10.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie E | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.18Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 86nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 35W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 13.8mm | ||
Larghezza 10.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay SIHA22N60E è un MOSFET di potenza a canale N serie e con tensione drain-source (Vds) di 600V. La tensione gate-source (VGS) è 30V. È dotato di contenitore a cavo sottile TO-220 FULLPAK. Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,18 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain 8A.
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità di ingresso (Ciss)
Perdite di conduzione e commutazione ridotte