MOSFET Infineon 600 V, 0.18 Ω Miglioramento, 18 A, 3 Pin, PG-TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 273-7459
- Codice costruttore:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,075 € | 4,15 € |
| 10 - 18 | 1,735 € | 3,47 € |
| 20 - 98 | 1,70 € | 3,40 € |
| 100 - 248 | 1,36 € | 2,72 € |
| 250 + | 1,315 € | 2,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7459
- Codice costruttore:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOSTM P7 | |
| Tipo di package | PG-TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.18Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 26W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOSTM P7 | ||
Tipo di package PG-TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.18Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 26W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La piattaforma Infineon Cool MOS di settima generazione è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione e lanciata da Infineon Technologies. Cool MOS P7 da 600 V è la serie successiva alla Cool MOS P6. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, una bassissima tendenza alla risonanza, un'eccezionale robustezza del body diode contro le commutazioni difficili e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e di conduzione estremamente ridotte rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte e più fredde.
Facilità d'uso
Eccellente resistenza alle ESD
Gestione termica semplificata
Significativa riduzione della commutazione
Adatto per commutazioni hard e soft
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