MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante
- Codice RS:
- 653-176
- Codice costruttore:
- SIHB155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- SIHB155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.159Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 2.79mm | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.159Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 2.79mm | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHB155N60EF-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione e il controllo della potenza nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di potenziamento adatto per il montaggio a foro passante ed è destinato ad applicazioni che richiedono una commutazione robusta a tensioni e correnti elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta una gestione del carico sostanziale • L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione per un funzionamento efficiente • La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione prolungata del carico termico • La carica di gate tipica di 25 nC facilita le transizioni di commutazione rapide • La tolleranza massima del gate di 30 V consente tensioni di azionamento del gate comuni
Applicazioni
• Adatto per alimentatori ad alta tensione nelle apparecchiature di automazione • Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono componenti a foro passante • Utilizzato per alimentatori industriali a commutazione con elevata dissipazione • Può essere utilizzato per i moduli di conversione di potenza nei sistemi elettrici • Adatto per la prototipazione e le installazioni di manutenzione che richiedono parti a foro passante
Quali considerazioni di montaggio si applicano alla gestione termica?
Il dispositivo utilizza un contenitore a foro passante TO-263 che beneficia di un dissipatore o di un'area in rame per circuito stampato per dissipare fino a 179 W in condizioni di raffreddamento appropriate.
In che modo la carica del gate influisce sulla progettazione del gate drive?
Una carica di gate tipica di 25 nC all'azionamento del gate nominale influisce sulle perdite di commutazione e detta la capacità di corrente del driver per i tempi di salita e discesa desiderati.
Qual è l'intervallo di temperatura previsto durante l'utilizzo?
Il componente è specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, richiedendo un design termico adeguato per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.
Ci sono limitazioni sulla tensione del gate durante l'uso?
La tensione di sorgente gate non deve superare 30 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire un'affidabilità a lungo termine.
Quali sono le caratteristiche elettriche che influenzano l'efficienza degli alimentatori?
La combinazione di bassi Rds(on) e la capacità di drenaggio di 600 V riduce le perdite di conduzione e commutazione nelle topologie di convertitori ad alta tensione.
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