MOSFET Vishay, canale N, 123 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-7628
Codice costruttore:: SIHB28N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 123 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 177-7628
Codice costruttore:: SIHB28N60EF-GE3
Costruttore:: Vishay

SiHB28N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	EF Series
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	123 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	250 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	80 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay, canale N, 123 mΩ, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor

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