MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 123 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SiHB28N60EF-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
903-4504
Codice costruttore:
SiHB28N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

123mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N con diodo rapido, serie EF, Vishay Semiconductor


Tempo di recupero inverso, carica di recupero inverso e corrente di recupero inverso ridotti

Bassa figura di merito (FOM)

Bassa capacità di ingresso (Ciss)

Maggiore robustezza grazie a una bassa carica di recupero inverso

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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