MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG155N60EF-GE3
- Codice RS:
- 279-9911
- Codice costruttore:
- SIHG155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9911
- Codice costruttore:
- SIHG155N60EF-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.159Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 179W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.159Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 179W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E con diodo a corpo rapido e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.
Tecnologia serie E di 4a generazione
Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva
Energia nominale a valanga
Ridotte perdite di commutazione e conduzione
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