MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-247AC, Foro passante SIHG155N60EF-GE3

Questo MOSFET a canale n è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per le attività di conversione di potenza e controllo nei sistemi industriali ed elettronici. È progettato per l'uso nel montaggio a foro passante su gruppi di alimentazione in cui sono richieste una robusta gestione a valanga e termica. Il dispositivo funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per le applicazioni che richiedono una notevole portata di potenza e flessibilità dell'azionamento del gate.

• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta il funzionamento a carico sostenuto • L'Rds(on) di 0,159 Ω riduce le perdite di conduzione durante l'accensione • La dissipazione di potenza di 179 W consente una maggiore capacità di carico termico • La carica del gate 38 nC facilita un comportamento di commutazione prevedibile • La tolleranza del gate di 30 V consente un margine di azionamento generoso per i circuiti del gate

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori • Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Utilizzato per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per circuiti di azionamento a valvola o a solenoide che richiedono componenti a foro passante • Utilizzato con stadi di potenza discreti in laboratori e piattaforme di prova

Utilizzare un dissipatore con classificazione appropriata fissato alla superficie di montaggio del contenitore e garantire il flusso d'aria o il materiale dell'interfaccia termica per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.

È specificato per il funzionamento in un'ampia gamma di temperature e richiede la riduzione della corrente ammissibile e della dissipazione di potenza man mano che la temperatura di giunzione si avvicina al suo limite nominale massimo.

Si consiglia di utilizzare un driver gate in grado di generare e dissipare correnti per raggiungere i tempi di transizione della carica del gate specificati, rispettando al contempo il limite gate-sorgente di 30 V.

Le perdite di commutazione scendono con l'energia di transizione indotta dalla frequenza e dalla carica di gate, riducendo al minimo le durate di transizione e gestendo la dissipazione termica quando si funziona a velocità di commutazione elevate.