MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante SIHB155N60EF-GE3

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Codice RS:
653-175
Codice costruttore:
SIHB155N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

EF

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.159Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.79mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è dotato di un diodo a corpo rapido per prestazioni di commutazione migliorate. Offre una bassa cifra di merito (FOM), una capacità effettiva ridotta e un comportamento termico ottimizzato. Progettato per server, telecomunicazioni, SMPS e alimentatori di correzione del fattore di potenza, fornisce un'efficienza affidabile in applicazioni di alimentazione esigenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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