MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD50P06-15L_GE3
- Codice RS:
- 180-7967
- Codice costruttore:
- SQD50P06-15L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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| 125 - 245 | 2,78 € | 13,90 € |
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- Codice RS:
- 180-7967
- Codice costruttore:
- SQD50P06-15L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Larghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Larghezza 6.73mm | ||
Altezza 2.38mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 15,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 50A e massima dissipazione di potenza di 136W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. È utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Contenitore da • con bassa resistenza termica
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttore adattatore
• interruttori di carico
Certificazioni
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato