MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD50P06-15L_GE3

Codice RS:: 180-7967
Codice costruttore:: SQD50P06-15L_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD50P06-15L_GE3

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125 - 245	2,356 €	11,78 €
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Codice RS:: 180-7967
Codice costruttore:: SQD50P06-15L_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	20mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd	136W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	98nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	2.38mm
	Lunghezza	10.41mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	6.73 mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd 136W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 2.38mm
	Lunghezza 10.41mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 6.73 mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet

Paese di origine:: TW

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 15,5 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 50A e massima dissipazione di potenza di 136W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. È utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

Contenitore da • con bassa resistenza termica

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttore adattatore

• interruttori di carico

Certificazioni

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato