2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.006 Ω, 19.8 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI4204DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8014
Codice costruttore:
SI4204DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.006Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.05mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 20V. Inoltre, è dotato di resistenza drain-source di 4,6 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 19,8 A. Il MOSFET ha una potenza nominale massima di 3,25 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• convertitore CC/CC

• Telecomunicazioni fisse

• PC notebook

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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