2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.006 Ω, 19.8 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Codice RS:: 180-7285
Codice costruttore:: SI4204DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.006 Ω, 19.8 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

3300,00 €

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Codice RS:: 180-7285
Codice costruttore:: SI4204DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	19.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.006Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.25W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	30nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Configurazione transistor	Duale
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.05mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 19.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.006Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.25W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Configurazione transistor Duale
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.05mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N doppio per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 20V. Inoltre, è dotato di resistenza drain-source di 4,6 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 19,8 A. Il MOSFET ha una potenza nominale massima di 3,25 W. È stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• convertitore CC/CC

• Telecomunicazioni fisse

• PC notebook

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato