MOSFET Vishay, canale N, 4 O, 200 mA, TO-236, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8155
Codice costruttore:
TN2404K-T1-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

200 mA

Tensione massima drain source

240 V

Tipo di package

TO-236

Serie

TN2404K

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4 O

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Numero di elementi per chip

1

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 240V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 4ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 360mW e corrente di drain continua di 200mA. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è 2,5 V e 10V rispettivamente. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• azionamento facile senza buffer
• Stabilità termica eccellente
• funzionamento a tensione completa
• bassa tensione di errore
• bassa dispersione in ingresso e in uscita
• bassa tensione di offset
• bassa resistenza in stato attivo: 4ohms
• azionamento a bassa potenza/tensione
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• ripartizione secondaria: 260V

Applications


• driver ad alta tensione: Relè, solenoidi, lampade, martelli, display, transistor, ecc.
• Controllo motori
• alimentatore, convertitori
• interruttori di esclusione microfono del telefono, circuiti della suoneria

Certificazioni


• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testato
• UIS testato

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