MOSFET Vishay, canale Tipo P -8 V, 0.12 Ω, -6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2329DS-T1-GE3

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Codice RS:
256-7346
Codice costruttore:
SI2329DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-8V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2329DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Larghezza

1.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie Si2329DS di Vishay, dissipazione di potenza massima di 2,5 W, resistenza massima della sorgente di drenaggio di 0,12 Ω - SI2329DS-T1-GE3


Questo MOSFET a canale p è un transistor compatto a montaggio superficiale progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono una bassa resistenza in stato attivo, una gestione della corrente moderata e livelli standard di gate-drive in piccoli contenitori SOT-23.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza in stato attivo Rds(on) di 0,12 Ω consente di ridurre le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio nominale continua di 6 A supporta correnti di carico più elevate
• La dissipazione di potenza massima di 2,5 W consente un'attività di commutazione prolungata
• La carica Qg gate di 19,3 nC facilita prestazioni di commutazione relativamente veloci
• La tensione nominale gate-source di 5 V consente l'utilizzo di gate drive a livello logico standard
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C garantisce un'ampia tolleranza alla temperatura

Applicazioni


• Adatto per i circuiti di protezione della batteria nei dispositivi portatili
• Ideale per la gestione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo compatta
• Utilizzato con la commutazione del carico nei sistemi non certificati adiacenti al settore automobilistico
• Può essere utilizzato per la commutazione high-side nelle guide di alimentazione CC
• Adatto per progetti a montaggio superficiale che richiedono un ingombro SOT-23

Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio?


Si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale in un contenitore SOT-23, progettato per la saldatura a rifusione su circuiti stampati.

Quale polarità e tensione gestisce il dispositivo sulla sorgente di drenaggio?


Il dispositivo è di tipo a canale P specificato per una tensione massima drain-source di -8 V quando viene utilizzato entro i valori nominali.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sulle considerazioni di layout?


Con una dissipazione massima di 2,5 W, è necessario fornire un'area di rame per circuito stampato e vie termiche per diffondere il calore e mantenere la temperatura di giunzione sotto carico pesante.

Esistono limitazioni sulle ampiezze dell'azionamento del gate?


Il differenziale massimo gate-sorgente è di 5 V, pertanto i driver gate non devono superare questa tensione per evitare danni.

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