MOSFET Vishay, canale Tipo P -8 V, 0.12 Ω, -6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 256-7346
- Codice costruttore:
- SI2329DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
702,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,234 € | 702,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7346
- Codice costruttore:
- SI2329DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -8V | |
| Serie | Si2329DS | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.12Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -8V | ||
Serie Si2329DS | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.12Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
SOT-23-3 (TO-236) senza alogeni per montaggio superficiale a canale P da 8 V 6 A (Tc) 2,5 W (Tc) Vishay Semiconductor in conformità alla definizione IEC 61249-2-21.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg
Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE
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