MOSFET Vishay, canale Tipo P -8 V, 0.12 Ω, -6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2329DS-T1-GE3
- Codice RS:
- 256-7347
- Codice costruttore:
- SI2329DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7347
- Codice costruttore:
- SI2329DS-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -8V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | Si2329DS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.12Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -8V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie Si2329DS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.12Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Altezza 1.12mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie Si2329DS di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di -8 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio di 0,12 Ω - SI2329DS-T1-GE3
Questo MOSFET a canale p funziona come un dispositivo di commutazione compatto a montaggio superficiale per l'elettronica a bassa tensione. È progettato per applicazioni che richiedono un controllo efficiente del canale P in layout compatti e funziona in un ambiente a tensione di drenaggio-sorgente negativa tipico degli interruttori di tipo P. Il dispositivo è fornito in un contenitore SOT-23 a tre cavi adatto per assemblaggi di schede densi.
Caratteristiche e vantaggi:
• Bassa resistenza in stato attivo a 0,12 Ω che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Corrente di drenaggio continua nominale fino a 6 A che supporta correnti di carico moderate
• Tensione massima drain-source di -8 V che consente la commutazione a bassa tensione
• Tolleranza gate fino a 5 V per una compatibilità semplice con l'azionamento gate
• Carica gate tipica 19,3 nC per una commutazione rapida con una minore energia di azionamento
• Dissipazione di potenza di 2,5 W che consente una commutazione prolungata sotto carico
• Corrente di drenaggio continua nominale fino a 6 A che supporta correnti di carico moderate
• Tensione massima drain-source di -8 V che consente la commutazione a bassa tensione
• Tolleranza gate fino a 5 V per una compatibilità semplice con l'azionamento gate
• Carica gate tipica 19,3 nC per una commutazione rapida con una minore energia di azionamento
• Dissipazione di potenza di 2,5 W che consente una commutazione prolungata sotto carico
Applicazioni
• Adatto per la commutazione del carico high-side nelle guide di alimentazione
• Ideale per la gestione della batteria e i circuiti di protezione
• Utilizzato con trasmettitori di livello in sistemi di controllo a tensione mista
• Può essere utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità o la corrente inversa
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione compatti nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per la gestione della batteria e i circuiti di protezione
• Utilizzato con trasmettitori di livello in sistemi di controllo a tensione mista
• Può essere utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità o la corrente inversa
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione compatti nelle apparecchiature di automazione
Quale intervallo di temperatura d'esercizio posso aspettarmi per un funzionamento affidabile?
Il componente è specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e temperatura elevata.
In che modo la scelta del contenitore influisce sulle prestazioni termiche?
Il contenitore a montaggio superficiale SOT-23 e la dissipazione nominale di 2,5 W richiedono un'accurata progettazione termica del circuito stampato e vie termiche per mantenere la temperatura di giunzione sotto carico continuo.
Quali considerazioni sull'ingombro meccanico sono rilevanti per gli assemblaggi densi?
Con un'altezza minima di 1,12 mm e dimensioni di piano ridotte, il dispositivo consente un posizionamento stretto dei componenti mantenendo al contempo la semplicità di collegamento a tre pin.
Quali standard o requisiti materiali sono soddisfatti per le costruzioni conformi alle normative?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS e alle specifiche dei materiali IEC 61249-2-21 per la compatibilità con i laminati a circuito stampato.
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