MOSFET Vishay, canale Tipo P -8 V, 0.12 Ω, -6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SI2329DS-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

11,75 €

(IVA esclusa)

14,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1900 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,47 €11,75 €
50 - 750,46 €11,50 €
100 - 2250,351 €8,78 €
250 - 9750,344 €8,60 €
1000 +0,214 €5,35 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7347
Codice costruttore:
SI2329DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-8V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2329DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

SOT-23-3 (TO-236) senza alogeni per montaggio superficiale a canale P da 8 V 6 A (Tc) 2,5 W (Tc) Vishay Semiconductor in conformità alla definizione IEC 61249-2-21.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

Link consigliati