1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.16 Ω, 14 A 100 V, TO-263, Superficie, 3 Pin IRF530SPBF

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Codice RS:
180-8299
Codice costruttore:
IRF530SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.16Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Singolo

Lunghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 160mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 88W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• disponibile in nastro e bobina

• valore nominale DV/dt dinamico

• facilità di collegamento in parallelo

Commutazione rapida •

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

Valore nominale a valanga ripetitivo di •

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• Caricabatterie

• Inverter

• Alimentatori

Alimentatore switching (SMPS) •

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