MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 1.2 Ω, 6.8 A 600 V, TO-247AC IRFPC40PBF
- Codice RS:
- 180-8337
- Codice costruttore:
- IRFPC40PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8337
- Codice costruttore:
- IRFPC40PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247AC | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 15.87 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Lunghezza | 16.25mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247AC | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 60nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 15.87 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Lunghezza 16.25mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-247AC-3 a canale N di nuova generazione con una tensione drain-source di 600V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 1,2 ohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 150W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• valore nominale DV/dt dinamico
• facilità di collegamento in parallelo
Commutazione rapida •
• Foro di montaggio centrale isolato
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150°
Valore nominale a valanga ripetitivo di •
• requisiti di azionamento semplici
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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