1 MOSFET Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.1 Ω, 2.4 A 50 V, HVMDIP, 4 Pin IRFD020PBF
- Codice RS:
- 180-8673
- Codice costruttore:
- IRFD020PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8673
- Codice costruttore:
- IRFD020PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | HVMDIP | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.1Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 0.425poll | |
| Altezza | 0.330poll | |
| Lunghezza | 0.29poll | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package HVMDIP | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.1Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 0.425poll | ||
Altezza 0.330poll | ||
Lunghezza 0.29poll | ||
Standard/Approvazioni RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore HVMDIP-4 a canale N di nuova generazione con una tensione drain-source di 50V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 100mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 1W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• compatto, impilabile alle estremità
• facilità di collegamento in parallelo
• Eccellente stabilità della temperatura
Commutazione rapida •
• per l'inserimento automatico
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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