MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 0.9 A, 3 Pin, X1-DFN, Superficie DMN2450UFD-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
182-7197
Codice costruttore:
DMN2450UFD-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

X1-DFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

890mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.48mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.25 mm

Lunghezza

1.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Tensione di soglia gate molto bassa, 1,0 V max

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Gate con protezione ESD

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico

Applicazioni

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Sistemi alimentati a batteria e relè a stato solido

Interruttore di carico