MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

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Codice RS:
182-6901
Codice costruttore:
DMN62D1LFB-7B
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

407mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

X1-DFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.07mm

Larghezza

0.67 mm

Altezza

0.48mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Protezione ESD

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico

Applicazione

Interruttore di carico

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