Codice costruttore

MOSFET DiodesZetex, canale N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

Codice RS:: 182-6901
Codice costruttore:: DMN62D1LFB-7B
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 407 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie

Prezzo per 10000 unità, in una bobina da 10000*

850,00 €

(IVA esclusa)

1040,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 25 maggio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
10000 +	0,085 €	850,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 182-6901
Codice costruttore:: DMN62D1LFB-7B
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	407mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	X1-DFN
	Serie	DMN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.45nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	500mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	1.07mm
	Larghezza	670μm
	Altezza	480μm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 407mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package X1-DFN
	Serie DMN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.45nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 500mW
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 1.07mm
	Larghezza 670μm
	Altezza 480μm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet DMN62D1LFB-7B

Paese di origine:: CN

Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Bassa dispersione di ingresso/uscita

Protezione ESD

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico

Applicazione

Interruttore di carico

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.