MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 65 V, 8 Ω Miglioramento, 192 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie
- Codice RS:
- 222-2863
- Codice costruttore:
- DMP68D0LFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*
430,00 €
(IVA esclusa)
520,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 23 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,043 € | 430,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2863
- Codice costruttore:
- DMP68D0LFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 192mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 65V | |
| Tipo di package | X1-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.21W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.08mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.68 mm | |
| Altezza | 0.53mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 192mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 65V | ||
Tipo di package X1-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.21W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf -1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.08mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.68 mm | ||
Altezza 0.53mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 8 O X1-DFN1006, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 990 mA, X1-DFN1006-3
- MOSFET DiodesZetex 2 O X1-DFN1006, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 210 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 3 mΩ X1-DFN1006, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 8 Ω X1-DFN1006, Montaggio superficiale
- Diodo TVS DiodesZetex SMD, X1-DFN1006-2
- MOSFET DiodesZetex 527 mA Montaggio superficiale
