MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 65 V, 8 Ω Miglioramento, 192 mA, 3 Pin, X1-DFN, Superficie DMP68D0LFB-7B
- Codice RS:
- 222-2864
- Codice costruttore:
- DMP68D0LFB-7B
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 192mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 65V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | X1-DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.21W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.68 mm | |
| Altezza | 0.53mm | |
| Lunghezza | 1.08mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 192mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 65V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package X1-DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.21W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf -1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.68 mm | ||
Altezza 0.53mm | ||
Lunghezza 1.08mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
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